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标题: 2012上交874半导体物理与器件真题回忆 [打印本页]

作者: zhaoshuaiabc 时间: 12-3-5 20:11
标题: 2012上交874半导体物理与器件真题回忆
发错版了发到真题回忆版  没人看也没人回找也找不到  转过来应该能好点

今天考完了感觉还凑合  总体感觉复习全面的话没有问题。金半接触好多年没有考过第一年考说明复习的全面性

一. 半导体光电发光效应基本原理及计算本征吸收限。考了三年了，充分说明半导体物理后面的光电磁效应部分没啥可以出题的了。

二.半导体光注入时的准费米能级计算。

三.金半接触：首先计算半导体的功函数。其次，根据半导体功函数与铝以及金的功函数比较，说明其形成的金半接触是阻挡层还是反阻挡层。15分

四. PN结  30分
1. 空间电荷区如何形成
2. pn+结中空间电荷区宽度取决于谁。
3. 计算空间电荷区宽度

五.计算（本题也是03到07年某一年原题）
1.发射结效率
2.计算共发射结放大系数
3.提出提高发射效率的措施

六. 画出PNP晶体管不同工作状态下能带图 15分

七. MOS题目中有一个问题：什么是沟道长度调制效应 30分
1.高频小信号等效电路
2.计算漏电流
本题和03~到07年的某一年真题内容差不多，中间设置了一个高阻区域，类似于夹断区。无奈，没做出来，本题有点无敌，有沟长调制效应，可能还有速度饱和效应等。

作者: dianke62302 时间: 13-6-12 23:49
你好有这门课的复习资料吗谢谢

作者: a646840131 时间: 15-12-6 23:08
支持楼主。

作者: a646840131 时间: 15-12-6 23:09
不是为了水，是为了下载资料啊

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