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标题: 天津大学微电子2011年微电子复试笔试考研真题 [打印本页]

作者: 范老师 时间: 14-11-3 21:15
标题: 天津大学微电子2011年微电子复试笔试考研真题
pn结iv方程及输出特性。
基区宽度调制效益。对输出曲线的影响。
（短）窄沟道效应。
ecl电路工作原理。
mos漏电流的影响因素。
名词解释建立时间，维持时间，时钟偏差，时钟抖动。
互补cmos电路设计 : (AB+CD) ,三输入或非门 , (A+BC)非。
分析电路延时（一堆与或非门连接的电路）。
大扇入电路的优化。

1 PN结击穿机理有哪几种，如何区分? 5分
2 简述双极晶体管的开关过程。 6分
3 表面沟阈值电压定义，表达式，分析影响因素。 5分
4 NMOS工作原理，电压电流方程，并分析影响因素。 9分
5 分析CMOS PTAT工作原理（给图） 10分
6 画出以下集成电路
（1）CMOS 实现双输入或非门 4分
（2）NMOS 实现[(E+F)A＋B]的非 6分（非门符号不会打。。其实这是半导体集成电路的例题）
7 简要分析集成双极晶体管存在哪些寄生效应。 6分
8 SBD和一般二极管的差别。 6分
9 画出ECL电路图，并简要分析原理。 8分

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