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山东大学电子技术基础复习题 KSD版

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android 发表于 19-8-7 21:19:11 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
一、选择题:
1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( )
(A): 掺入杂质的浓度、(B): 材料、(C): 温度
2.测得某PNP 型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( )
(A): 放大状态、(B): 饱和状态、(C): 截止状态
3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50 变为100,则电路的放大倍数( )
(A): 约为原来的1/2 倍、(B): 约为原来的2 倍、(C): 基本不变
4.在OCL 电路中,引起交越失真的原因是( )
(A): 输入信号过大、(B):晶体管输入特性的非线性、(C):电路中有电容
5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e 是为了( )
(A): 提高差模电压增益、(B):提高共模输入电压范围、
(C): 提高共模抑制比
6.若A+B=A+C,则( )
(A) B=C; (B) B=C ;(C)在A=0 的条件下,B=C
7.同步计数器中的同步是指( )
(A)各触发器同时输入信号;(B) 各触发器状态同时改变;
(C)各触发器受同一时钟脉冲的控制
8.由NPN 管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削
平的失真,这种失真是( )
(A)饱和失真(B) 截止失真(C) 频率失真
9.对PN 结施加反向电压时,参与导电的是( )
(A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子
10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量( )
(A)增加(B)减少(C)不变
链接:https://pan.baidu.com/s/14Qqsiek9LeHW0m-wXZ1C8g
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