微电子概论面试
1.什么是N型半导体？什么是P型半导体？如何获得？
答：①依靠导带电子导电的半导体叫N型半导体，主要通过掺诸如P、Sb等施主杂质获得；②依靠价带空穴导电的半导体叫P型半导体，主要通过掺诸如B、In等受主杂质获得；③掺杂方式主要有扩散和离子注入两种；经杂质补偿半导体的导电类型取决于其掺杂浓度高者。
2.简述晶体管的直流工作原理。
答：根据晶体管的两个PN结的偏置情况晶体管可工作在正向放大、饱和、截止和反向放大模式。实际运用中主要是正向放大模式，此时发射结正偏，集电结反偏，以NPN晶体管为例说明载流子运动过程；
① 射区向基区注入电子；正偏的发射结上以多子扩散为主，发射区向基区注入电子，基区向发射区注入空穴，电子流远大于空穴流；
② 基区中自由电子边扩散边复合。电子注入基区后成为非平衡少子，故存在载流子复合，但因基区很薄且不是重掺杂，所以大部分电子能到达集电结边缘；
③ 集电区收集自由电子：由于集电结反偏，从而将基区扩散来的电子扫入集电区形成电子电流，另外还存在反向饱和电流，主要由集电区空穴组成，但很小，可以忽略。
3.简述MOS场效应管的工作特性。
答：以N沟增强型MOS为例，把 MOS管的源漏和衬底接地，在栅极上加一足够高的正电压，从静电学的观点来看，这一正的栅极电压将要排斥栅下的P 型衬底中的可动的空穴电荷而吸引电子。电子在表面聚集到一定浓度时，栅下的P 型层将变成N 型层，即呈现反型。N 反型层与源漏两端的 N 型扩散层连通，就形成以电子为载流子的导电沟道。如果漏源之间有电位差，将有电流流过。而且外加在栅极上的正电压越高，沟道区的电子浓度也越高，导电情况也越好。如果加在栅极上的正电压比较小，不足以引起沟道区反型，则器件仍处在不导通状态。引起沟道区产生强表面反型的最小栅电压，称为阀值电压。
① 截止区：VGS小于等于零，此时源漏之间的电流近似为零。
② 线性区：VGS取一定的正电压，形成导电沟道。此时IDS与VDS成正比，对应曲线OA范围，即线性区。
③ 过渡区：VDS增大到一定程度时，， 沟道变窄，沟道电阻增大，IDS随VDS增加趋势变缓，对应曲线BC范围。
④ 饱和区：VDS继续增大到一定值使沟道夹断，此时VDS继续增大IDS基本保持不变，即达到饱和。
⑤ 击穿区：如果VDS再继续增加，使漏端PN结反偏电压过大，导致PN结击穿，使MOS晶体管进入击穿区。
4.CMOS电路的基本版图共几层，都是哪几层？再描述一下COMS工艺流程。
答:①共有7+1层，分别是N阱注入光刻、场氧有源区光刻、多晶硅光刻、P+漏源区光刻、N+漏源区光刻、引线孔光刻、金属互连光刻、压焊点（钝化）光刻；②主要工艺流程：N阱生成、有源区的确定和
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