Free考研论坛_免费考研论坛Freekaoyan.com

 找回密码
 注册

上海大学电子技术基础模拟部分复习题 KSD版

[复制链接]
android 发表于 19-8-13 16:36:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
复习题
第一章半导体器件
1.选择
(1).在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为。
A 本征半导体B P 型半导体C N 型半导体D 半导体
(2). N 型半导体多数载流子是带负电的自由电子, N 型半导体。
A 带正电B 带负电C 没法确定D 电中性
(3). PN 结加正向电压时,其正向电流是由的。
A.多数载流子扩散形成
B.多数载流子漂移形成
C.少数载流子扩散形成
D.少数载流子漂移形成
(4).当PN 结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。
A.大于变宽B. 小于变窄
C. 大于变窄D. 小于变宽
(5).二极管的电流方程是。
A.
(6).稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区
(7).三极管工作在放大区时,发射结和集电结应为。
A. 发射结正偏,集电结正偏
B. 发射结正偏,集电结反偏
C. 发射结反偏,集电结正偏
D. 发射结反偏,集电结反偏

链接:https://pan.baidu.com/s/1skX5l7WTamQlt0EBP_TCsA
购买主题 本主题需向作者支付 25 个金币 才能浏览
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

联系我们|Free考研论坛 ( 苏ICP备05011575号 )

GMT+8, 19-8-24 23:37 , Processed in 0.468405 second(s), 10 queries , Gzip On, Xcache On.

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表