第三部分 集成电路设计
考试题型:问答题,分析计算题。
参考书:①虞惠华等译,专用集成电路(第1、2、3、5章),电子工业出版社,2004年
②Jan M. Rabaey,Digital Integrated Circuits,Prentice Hall,1999年
③拉扎维著,模拟CMOS集成电路设计,西安交通大学出版社,2003年
总分:50分
一、模拟集成电路设计
1. CMOS模拟集成电路设计导论
2. MOS器件物理基本概念
3. 单级放大器分析
分析电路的增益、线性度、电压摆幅、功耗、输入/输出阻抗等。
共源级, 源跟随器, 共栅级, 共源共栅级。
4. 差分放大器
基本的差分对的分析
MOS负载的差分放大器
CMOS差分放大器
5. 单级放大器的频率响应
共源级,源跟随器,共栅级,共源共栅级,差分放大器的频响分析
6. 偏置电路
基本电流源
Cascode电流源、低电压Cascode电流源。
和电源无关的, 和温度无关的偏置电路
7. CMOS运放
CMOS运放的性能参数
一级CMOS运放和Gain Boosting
二级CMOS运放:一般结构、输入范围、共模反馈、压摆率和频率补偿。
二、数字集成电路设计
1 集成电路器件
1.1 PN二极管(理想特性和二级效应)
1.2 MOS场效应晶体管(理想特性和二级效应)
2 CMOS反相器
2.1 静态特性及参数
2.2 动态特性及参数
2.3 功耗特性
3 CMOS组合逻辑
3.1 静态互补CMOS逻辑
3.2 比例CMOS逻辑(准NMOS结构)
3.3 传输晶体管逻辑
3.4 动态CMOS
4 CMOS时序逻辑
4.1 静态锁存器、寄存器
4.2 动态锁存器、寄存器
4.3 非双稳态时序电路
三、有关专用集成电路设计的基本知识
1、ASIC基本概念
1.1 ASIC类型及特点
1.2 IC的设计和制造过程
1.3 ASIC技术现状和发展趋势
2、ASIC设计流程和设计方法
2.1 Top-Down和Bottom-Up设计流程
2.2 硬件描述语言及设计描述
2.3 设计方法
逻辑综合、行为级验证、动态和静态时序验证,版图验证和版图后仿真等
3、ASIC测试方法
3.1 组合电路的测试方法
3.2 时序电路的测试方法
3.3 可测性设计
4、常用设计工具
5、有关FPGA的基本知识 |